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Strain and deformations engineered germanene bilayer double gate-field effect transistor by first principles - ScienceDirect
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商品詳細情報
| 管理番号 |
新品 ：8332010451
中古 ：8332010451-1 |
メーカー | 5117c0 | 発売日 | 2025-07-10 05:28 | 定価 | 6500円 | ||
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| カテゴリ | |||||||||
Strain and deformations engineered germanene bilayer double gate-field effect transistor by first principles - ScienceDirect
Full article: Auxetic textiles, composites and applications,A First Principles Investigation of the Mechanical Properties of g-TlN,Strain and deformations engineered germanene bilayer double gate-field effect transistor by first principles - ScienceDirect,Mice as an Animal Model for Japanese Encephalitis Virus Research: Mouse Susceptibility, Infection Route, and Viral Pathogenesis
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